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參數資料
型號: IRF7756
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TSOP
中文描述: 晶體管| MOSFET的|配對| P通道| 12V的五(巴西)直| 4.3AI(四)|的TSOP
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 238K
代理商: IRF7756
IRF7756
6
www.irf.com
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 11.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
RD
)
ID = -4.3A
0
4
8
12
16
-ID , Drain Current (A)
0.020
0.025
0.030
0.035
0.040
RD
)
VGS = -4.5V
VGS = -2.5V
VGS = -1.8V
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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IRF7756TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7756TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -12V 3.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF7757GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance