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參數資料
| 型號： | IRF7314Q |
| 英文描述： | -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| 中文描述： | - 20V的雙P溝道HEXFET功率MOSFET的SO - 8封裝 |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF7314Q |
IRF730AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
Package Outline
TO-262 Outline
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7316S | |
| IRF731FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF7322D1 | -20V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
| IRF7324 | -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| IRF732FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7314QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7314QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7314TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7314TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7316 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL PP LOGIC SO-8 |
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