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參數資料
| 型號： | IRF2805 |
| 英文描述： | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| 中文描述： | 55V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | IRF2805 |
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
0
40
80
120
160
200
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
40
80
120
160
200
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF2807STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB |
| IRF2807STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB |
| IRF3007L | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRF3007S | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| IRF3205STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF2805PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF2805S | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF2805SPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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