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參數資料
| 型號： | IRF131R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五（巴西）直|第14A條（丁）|對204AA |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | IRF131R |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF132R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA |
| IRF133R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA |
| IRF140R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-204AE |
| IRF141R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-204AE |
| IRF142R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF132 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF1324LPBF | 功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF1324PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF1324S-7PPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF1324SPBF | 功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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