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參數資料
| 型號： | FLL600IQ-3 |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段中等 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | FLL600IQ-3 |
2
FLL600IQ-3
L-Band Medium & High Power GaAs FET
VDS = 12.0V
IDS = 4.0A
f = 2.7GHz
OUTPUT POWER &
η
add vs. INPUT POWER
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
50
10
0
20
30
40
50
60
O
35
37
39
41
43
45
47
49
51
O
η
a
Pout
η
add
VDS = 12.0V
IDS = 4.0A
f = 2.7GHz
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
25dBm
30dBm
35dBm
38dBm
Pin=40dBm
Frequency (GHz)
Input Power (dBm)
POWER DERATING CURVE
40
80
100
120
140
60
20
0
50
Case Temperature (
°
C)
100
150
200
T
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL810IQ-3C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-4C | L-Band High Power GaAs FET |
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| FLLD261 | SILICON PLANAR LOW LEAKAGE SERIES DIODE PAIR |
| FLM0910-12F | X-Band Internally Matched FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FLL810IQ-3C | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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