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參數資料
| 型號： | FA38SA50LC |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RECTIFIER BRIDGE 25A 200V 350A-ifsm 1.05V-vf 10uA-ir GBJ 15/TUBE |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | FA38SA50LC |
FA38SA50LC
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Fig 13.
For N-Channel HEXFETS
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PDF描述 |
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參數描述 |
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