CSD18541F5T

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠(chǎng)商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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深圳市歐瑞芯電子有限公司
深圳市歐瑞芯電子有限公司
聯(lián)系人：韓小姐、張先生
電話(huà)：1353040899018475619159
地址：深圳市福田區(qū)現(xiàn)代之窗A座11C/香港元朗區(qū)宏業(yè)西街33號(hào)元朗貿(mào)易中心206室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
35000
TI/德州儀器
PICOSTAR-3
25+
-
原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話(huà)：18724450645
地址：中國(guó)上海
321274
TI
con
24+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

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深圳市三磚科技有限公司
深圳市三磚科技有限公司
聯(lián)系人：黃先生
電話(huà)：18823887255
地址：賽格科技園4棟西10樓C座
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6500
TI市場(chǎng)最低！
N/A
25+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨，全網(wǎng)好價(jià)

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深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話(huà)：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
500
TI
PICOSTAR-3
22+
-
每一片都來(lái)自原廠(chǎng)，正品保證

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠(chǎng)封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話(huà)010-62...

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張經(jīng)理
電話(huà)：18653422656
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321274
TI
con
24+
-

CSD18541F5T
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話(huà)：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321274
TI
con
24+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

CSD18541F5T
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話(huà)：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
321274
TI
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

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天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：張經(jīng)理
電話(huà)：18653422656
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
321274
TI
con
24+
-

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
新產(chǎn)品
FET 類(lèi)型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
2.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
65 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
14nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
777pF @ 30V
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝
封裝/外殼
3-SMD，無(wú)引線(xiàn)
供應(yīng)商器件封裝
3-PICOSTAR
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD18541F5T 技術(shù)參數(shù)

CSD18541F5 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:777pF @ 30V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無(wú)引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18540Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4230pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18540Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4230pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18537NQ5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 12A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 30V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18537NQ5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 12A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 30V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19502Q5BT CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19531Q5AT CSD19532KTT CSD19532KTTT CSD19532Q5B CSD19532Q5BT CSD19533KCS CSD19533Q5A CSD19533Q5AT

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