CSD18541F5

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD18541F5
現貨
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
39000
TI
原封裝
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

CSD18541F5
深圳市歐瑞芯電子有限公司
深圳市歐瑞芯電子有限公司
聯系人：韓小姐、張先生
電話：1353040899018475619159
地址：深圳市福田區現代之窗A座11C/香港元朗區宏業西街33號元朗貿易中心206室
資質：營業執照
13480
TI/德州儀器
PICOSTAR-3
25+
-
原廠原裝現貨支持實單

CSD18541F5
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321273
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD18541F5
深圳市三磚科技有限公司
深圳市三磚科技有限公司
聯系人：黃先生
電話：18823887255
地址：賽格科技園4棟西10樓C座
資質：營業執照
6500
TI（德州儀器）
PICOSTAR-3
25+
-
全新原裝正品現貨，全網好價

CSD18541F5T
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
500
TI
PICOSTAR-3
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CSD18541F5T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD18541F5
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
321273
TI
con
24+
-

CSD18541F5
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
321273
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD18541F5
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321273
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

CSD18541F5
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
321273
TI
con
24+
-

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
新產品
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
65 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
14nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
777pF @ 30V
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-SMD，無引線
供應商器件封裝
3-PICOSTAR
標準包裝
1

CSD18541F5 技術參數

CSD18540Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4230pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD18540Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4230pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD18537NQ5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 12A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 30V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD18537NQ5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 12A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 30V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON（5x6）標準包裝:1 CSD18537NKCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 30V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19531Q5AT CSD19532KTT CSD19532KTTT CSD19532Q5B CSD19532Q5BT CSD19533KCS CSD19533Q5A