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參數資料
| 型號： | AGR26125EU |
| 廠商： | LSI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | AGR26125EU |
Agere Systems Inc.
5
Preliminary Data Sheet
AGR26125E
August 2004
125 W, 2.5 GHz—2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 4. CW Broadband Performance
Test Conditions:
Two-tone measurement @ 10 MHz tone spacing, VDD = 28 Vdc, F1 = 2590 MHz, F2 = 2600 MHz.
Figure 5. Two-tone IMD vs. Power
20
25
30
35
40
45
50
55
60
2500
2550
2600
2650
2700
FREQUENCY, MHzA
POWER
(
d
Bm)
,PAE
(
%
)A
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
GAIN
(
d
B)
,IR
L
(
d
B)
Z
GAIN
PAE
P1dB
IRL
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
1
10
100
1000
POUT (W, PEP)Z
dBc
Z
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
IM7
IM3
IM5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR26125EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR26125EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGRA10GM | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGRA10GM | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AGR26180EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR34006827 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Pipe Assembly,Telescopic |
| AGR34120801 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Pipe Assembly,Metal |
| AGR34120805 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Pipe Assembly,Metal |
| AGR34410710 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Pipe Assembly,Telescopic |
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