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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AGR26125EF |
| 廠商： | LSI CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | FM-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 252K |
| 代理商： | AGR26125EF |
Agere Systems Inc.
7
Preliminary Data Sheet
AGR26125E
August 2004
125 W, 2.5 GHz—2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
Four-carrier W-CDMA 3GPP test model 1, peak-to-average = 9.8 dB @ 0.01% CCDF, F = 2595 MHz, VDD = 28 V, IDQ = 1200 mA.
Figure 8. Four-carrier W-CDMA Performance
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
2468
10
12
14
16
18
20
22
POUT (W)Z
ACLR1,
ACLR2
(dBc)
Z
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
PAE
(%),
GAIN
(dB)
Z
PAE
GAIN
ACLR1
ACLR2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR26125EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| AH1601DI | DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T APPLICATION(S) |
| AH1601DS | DATACOM TRANSFORMER FOR 10/100 BASE-T APPLICATION(S) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AGR26180EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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