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參數資料
| 型號： | 2SK4070-ZK-E2-AY |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | MOS場效應管 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 211K |
| 代理商： | 2SK4070-ZK-E2-AY |
Data Sheet D18785EJ2V0DS
7
2SK4070
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3-a)
2) TO-251 (MP-3-b)
6.6
±
0.2
5.3 TYP.
4.3 MIN.
Mold Area
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
0.76
±
0.1
0.5
±
0.1
No Plating
0
6
±
0
1
±
0
9
4
.
1
1
1
4
2
3
1.14 MAX.
2.3 TYP.
2.3 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
6.6±0.2
2.3±0.1
0.5±0.1
0.76±0.12
0.5±0.1
5.3 TYP.
2.3 TYP.
2.3 TYP.
1
1.14 MAX.
1
1
4
6
1
2
1
3
4
3) TO-252 (MP-3ZK)
EQUIVALENT CIRCUIT
6.5
±
0.2
5.1 TYP.
4.3 MIN.
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
0.76
±
0.12
0 to 0.25
0.5
±
0.1
1.0
No Plating
No Plating
1
6
±
0
0
4
.
0
1
1
4
2
3
1.14 MAX.
2.3
2.3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Body
Diode
Source
Drain
Gate
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly
dissipate it once, when it has occurred.
<R>
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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