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參數資料
| 型號： | 2SK3307 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 2SK3307 |
Data Sheet D14129EJ3V0DS
7
2SK3307
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
TO-3P (MP-88)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
15.7 MAX.
3.2±0.2
4
6
1
3
2
1
2.2±0.2
5.45
5.45
1.0±0.2
4
4.7 MAX.
1.5
7
2.8±0.1
0.6±0.1
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3324 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3325 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
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| 2SK3325-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3326 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3307-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,60V,70A,7,5m ohm,TO-3P 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
| 2SK3309 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications |
| 2SK3309(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 450V 10A Rdson=0.48Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3309(TE24L,Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 450V 10A Rdson=0.48Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3309_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications |
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