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參數資料
| 型號： | 2SK3116 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | 開關N溝道功率場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SK3116 |
Data Sheet D13339EJ2V0DS
7
2SK3116
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220AB (MP-25)
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3) TO-263 (MP-25ZJ)
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly
dissipate it once, when it has occurred.
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
4
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
05RTYP
08RTYP
2
EQUIVALENT CIRCUIT
Body
Diode
Source (S)
Drain (D)
Gate (G)
#
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3116-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK3116-ZJ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK311 | SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
| 2SK310 | SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
| 2SK3150L | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3116-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 600V 7.5A 1200m@10V TO220AB Bulk |
| 2SK3116B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:7.5A600V |
| 2SK3116-S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK3116-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| 2SK3116-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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