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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3112 |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET的工業(yè)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | 2SK3112 |
Data Sheet D13335EJ1V0DS
7
2SK3112
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-220AB (MP-25)
2)TO-262
3)TO-263 (MP-25ZJ)
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
4
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
05RTYP
08RTYP
2
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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