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參數資料
| 型號： | 2SK3070S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 2/10頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2SK3070S |
2SK3070(L),2SK3070(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
Note3
E
AR
Note3
Pch
Note2
40
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
75
A
Drain peak current
Note1
300
A
Body-drain diode reverse drain current
75
A
Avalanche current
50
A
Avalanche energy
333
mJ
Channel dissipation
100
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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