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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3056 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類(lèi)： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SK3056 |
Data Sheet D13095EJ1V0DS00
4
2SK3056
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
/
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
75
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
10
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V
G
I
D
- Drain Current - A
R
D
25
0.1
10
10
0.01
0.1
1
100
1 000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
V
DS
=10 V
Pulsed
0.1
1
10
100
10
100
25
20
Pulsed
50
75
100
1000
Pulsed
Single Pulse
0
0.5
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
1.0
1.5
2.0
50
0
50
100
150
0
R
th(ch-A)
= 83.3
C
/W
V
GS
= 10 V
0.1
1.0
50
V
GS
= 4 V
T
C
= 25
C
10
100
R
th(ch-C)
= 3.68
C
/W
T
ch
- Channel Temperature - C
I
D
= 16 A
T
= 125
C
75
C
25
C
25
C
μ
μ
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PDF描述 |
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