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參數資料
| 型號： | 2SK2591 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SK2591 |
2SK2553
6
Package Dimensions
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass
(reference value)
LDPAK (L)
—
—
1.4 g
10.2
±
0.3
0.86
0.76
±
0.1
2.54
±
0.5
2.54
±
0.5
+ 0.2
1.2
±
0.2
4.44
±
0.2
1.3
±
0.15
2.59
±
0.2
0.4
±
0.1
1
±
8
±
1
1
±
+
–
(
1.27
±
0.2
As of January, 2001
Unit: mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2592 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2593P | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A |
| 2SK2593Q | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2593R | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SC-75A |
| 2SK2593S | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2592 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-262AA |
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| 2SK2593GQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK2593JQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK2593P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A |
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