国产精品成人VA在线观看-国产乱妇乱子视频在播放-国产日韩精品一区二区三区在线-国模精品一区二区三区

參數(shù)資料
型號: 1N5335AE3TR
廠商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 3.9 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 188K
代理商: 1N5335AE3TR
Silicon 5 Watt Zener Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5333B thru 1N5388B, e3
1N5
333
B
thr
u
1N53
88
B
OUTLINE AND CIRCUIT
Pd,
Maximum
Power
Dissi
p
ation
(Watts
)
TL
TA on FR4
PC board
TL, Lead temperature (
oC) 3/8” from body. or
TA ambient temperature on FR4 PC Board
FIGURE 1
FIGURE 2
Power Derating Curve
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
PACKAGE DIMENSIONS
FIGURE 3
,e3
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
Copyright
2008
8-06-2008 REV D
相關PDF資料
PDF描述
1N5335CE3TR 3.9 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5335DE3TR 3.9 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5337DE3TR 4.7 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5342CE3TR 6.8 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5345BE3TR 8.7 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1N5335ATR 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 5 Watt Zener Diodes
1N5335B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.9V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5335B/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 3.9V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 3.9V 5% T-18
1N5335B/TR8 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 3.9V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 3.9V 5% T-18
1N5335BE3 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 5W T-18 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT