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STD4N90K5

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STD4N90K5
    STD4N90K5

    STD4N90K5

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DAPK

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STD4N90K5
    STD4N90K5

    STD4N90K5

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：張

    電話：18724450645

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室

    資質：營業執照

  • 0

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -

  • 集成電路（IC）

  • STD4N90K5
    STD4N90K5

    STD4N90K5

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 0

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -

  • 集成電路（IC）

  • STD4N90K5
    STD4N90K5

    STD4N90K5

  • 科創特電子（香港）有限公司
    科創特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 25000

  • ST MICROELECTRONICS

  • 價格優勢

  • 2227

  • -

  • 全新原裝渠道現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STD4N90K5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 900V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 3A（Tc）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 5.3nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±30V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 173pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 60W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 2.1 歐姆 @ 1A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • DPAK
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
  • 標準包裝
  • 1
STD4N90K5 技術參數
  • STD4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:175pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.95 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD4N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:334pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:122pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 STD47N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1640pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD4NS25T4 STD50N03L STD50N03L-1 STD50NH02L-1 STD50NH02LT4 STD5100CTR STD5100TR STD5150TR STD5200TR STD52P3LLH6 STD5406NT4G STD5406NT4G-VF01 STD5407NNT4G STD5407NT4G STD55N4F5 STD55NH2LLT4 STD5N20LT4 STD5N20T4
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