零件編號         IPB60R125CPTR-ND

制造商     InfineonTechnologies

制造商零件編號     IPB60R125CP

描述         MOSFETN-CH 600V 25A TO263

無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

?濕氣敏感性等級 （MSL）    1（無限）

一般信息

數據列表         IPB60R125CP;

標準包裝       1,000

包裝       標準卷帶 

類別         分立半導體產品

產品族     晶體管 -

FET，MOSFET - 單

系列         CoolMOS??

其它名稱         IPB60R125CP-ND

IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPTR

SP000297368

規格

FET 類型 N 溝道

技術         MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）      600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）  25A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小Rds On）   10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）     3.5V @1.1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）        70nC @10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）        2500pF@ 100V

Vgs（最大值）        ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值）     208W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）        125 毫歐 @16A，10V

工作溫度         -55°C ~150°C（TJ）

安裝類型         表面貼裝

供應商器件封裝     PG-TO263-3-2

封裝/外殼       TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB