国产精品成人VA在线观看-国产乱妇乱子视频在播放-国产日韩精品一区二区三区在线-国模精品一区二区三区

PSMN025-1000

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PSMN025-1000
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3555
PHILIPS
SOT252
201320+
-
原裝正品，現貨庫存。400-800-03...

PSMN025-1000
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
18652
PHILIPS
SOT252
2025+
-
正宗原裝現貨

PSMN025-1000
深圳市華金瑞電子有限公司
深圳市華金瑞電子有限公司
聯系人：劉
電話：15323844149
地址：中航路華強電子世界三店佳和電子市場
10
PHILIPS
TO-252原帶
02
-
100%原裝！優勢現貨庫存

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： PSMN025-100D,118 PSMN025-80YLX PSMN026-80YS,115 PSMN027-100BS,118 PSMN027-100PS,127 PSMN027-100XS,127 PSMN028-100YS,115 PSMN030-150B,118 PSMN030-150P,127

PSMN025-1000 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PSMN025-1000 技術參數

PSMN023-80LS,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1295pF @ 40V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:8-DFN3333（3.3x3.3）標準包裝:1 PSMN023-40YLCX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:520pF @ 20V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PSMN022-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:447pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:41W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN022-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:447pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:41W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.6 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN021-100YLX 功能描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN030-60YS,115 PSMN034-100BS,118 PSMN034-100PS,127 PSMN035-100LS,115 PSMN035-150B,118 PSMN035-150P,127 PSMN038-100K,518 PSMN038-100YLX PSMN039-100YS,115 PSMN040-100MSEX PSMN040-200W,127 PSMN041-80YLX PSMN045-80YS,115 PSMN050-80BS,118 PSMN050-80PS,127 PSMN057-200B,118 PSMN057-200P,127 PSMN059-150Y,115