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PMCPB5530X115

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    聯系人：陳先生 13360533550

    電話：0755-83289799

    地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質：營業執照

  • 50000

  • NEXPERIA/安世

  • DFN2020

  • 26+

  • -

  • 原裝原廠正品現貨

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PMCPB5530X115 技術參數
  • PMCPB5530X,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:660pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMCM650VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.4A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1060pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WLCSP（1.48x.98） 封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 標準包裝:1 PMCM650CUNEZ 功能描述:PMCM650CUNE NAX000 NONE 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:- 功率 - 最大值:556mW（Ta） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 供應商器件封裝:6-WLCSP（1.48x0.98） 標準包裝:1 PMCM6501VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.2A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WLCSP（1.48x.98） 封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 標準包裝:1 PMCM6501VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.3A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:920pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WLCSP（1.48x.98） 封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 標準包裝:1 PMD1204PBB1-A.(2).GN PMD1204PBB2-A.(2).GN PMD1204PBB3-A.(2).GN PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.R.PWM.GN PMD1204PQB1-A (2) PMD1204PQB1-A (2) F PMD1204PQB1-A.(2).GN PMD1204PQB1-A.(2).U.F.GN PMD1204PQB1-A.(2).U.GN PMD1204PQB2-A.(2).GN
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