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NCV8408BDTRKG

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：曹先生/高先生/周小姐

    電話：134878658521852080514813760272017

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 320593

  • onsemi

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • NCV8408BDTRKG
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  • 深圳市高創鑫電子科技有限公司
    深圳市高創鑫電子科技有限公司

    聯系人：曾小姐

    電話：0755-2330298015814019597

    地址：深圳市福田區華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間

    資質：營業執照

  • 21000

  • onsemi

  • DPAK

  • 2023+

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  • 原裝正品現貨，假1罰100

  • NCV8408BDTRKG
    NCV8408BDTRKG

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  • 科創特電子（香港）有限公司
    科創特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 15000

  • Onsemi

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  • 2449

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  • 全新原裝渠道現貨

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NCV8408BDTRKG 技術參數
  • NCV8406STT3G 功能描述:功率驅動器IC 65 V,6 A SINGLE N-CH RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCV8406DTRKG 功能描述:MOSFET 65V6A SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8406ASTT3G 功能描述:MOSFET 65V SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8406ASTT1G 功能描述:MOSFET 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8406ADTRKG 功能描述:功率驅動器IC 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCV8452STT3G NCV8460ADR2G NCV8461DR2G NCV8501D100 NCV8501D100G NCV8501D100R2 NCV8501D100R2G NCV8501D25 NCV8501D25G NCV8501D25R2 NCV8501D25R2G NCV8501D33 NCV8501D33G NCV8501D33R2 NCV8501D33R2G NCV8501D50 NCV8501D50G NCV8501D50R2
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