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SI3973DV-T1

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  • SI3973DV-T1-GE3 貼片三極管
    SI3973DV-T1-GE3 貼片三極管

    SI3973DV-T1-GE3 貼片三極管

  • 深圳市三磚科技有限公司
    深圳市三磚科技有限公司

    聯系人：黃先生

    電話：18823887255

    地址：賽格科技園4棟西10樓C座

    資質：營業執照

  • 8960

  • VISHAY/威世

  • SOT-23-6

  • 2025+

  • -

  • 全新原裝現貨，價格優勢，假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
SI3973DV-T1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • TRANS MOSFET P-CH 12V 2.4A 6TSOP - Tape and Reel
SI3973DV-T1 技術參數
  • SI3865DDV-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:CNAD SWITCH WITH LEVEL-SHIFT - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Power Switch ICs - Power Distribution 12V 2.8A .83W SI3865CDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865CDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-12V 2.8A 1.5-8V Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 2.9A 0.06Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI4010-B1-GT SI4010-C2-GS SI4010-C2-GSR SI4010-C2-GT SI4010-C2-GTR SI4010DY-T1-GE3 SI4011-C2-GT SI4011-CC-GT SI4011-CC-GTR SI4012-A0-GT SI4012-C1001GT SI4012-C1001GTR SI-40131 SI-40138 SI-40141 SI-40143 SI-40144 SI4020-I1-FT
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