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BSO080P03NS3G

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  • BSO080P03NS3G
    BSO080P03NS3G

    BSO080P03NS3G

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人：陳先生13360533550

    電話：0755-838679890755-82795565

    地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F

    資質：營業執照

  • 50000

  • INFINEON

  • SOP-8

  • 26+

  • -

  • 原裝原廠正品現貨

  • BSO080P03NS3G
    BSO080P03NS3G

    BSO080P03NS3G

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • SOP-8

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • BSO080P03NS3GXUMA1
    BSO080P03NS3GXUMA1

    BSO080P03NS3GXUMA1

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOP8

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BSO080P03NS3G
    BSO080P03NS3G

    BSO080P03NS3G

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 10000

  • INFINEON

  • SOP-8

  • 23+

  • -

  • 終端免費提供樣品 可開13%增值稅發票

  • BSO080P03NS3G
    BSO080P03NS3G

    BSO080P03NS3G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • SON

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共23條 
  • 1
BSO080P03NS3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
BSO080P03NS3G 技術參數
  • BSO080P03NS3EGXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO072N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 45μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3230pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO065N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO064N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3620pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO052N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 70μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5530pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO200N03S BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1
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