AOB10N60

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說明
操作

AOB10N60
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
AOS
TO-263
22+
-
全新原裝現貨供應

AOB10N60
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
AOS
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AOB10N60
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
400045
YXYBDT臺灣
TO-263
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

AOB10N60
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
AOS/萬代
TO-263
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

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制造商
AOSMD
制造商全稱
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
600V,10A N-Channel MOSFET

AOB10N60 技術參數

AOB10B65M1 功能描述:IGBT 650V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:150W 開關能量:180μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/91ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:262ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:1 AOB10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 163W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:163W 開關能量:260μJ（開），70μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:17.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/72ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:105ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:800 AO-AGSM-OM54 功能描述:ANTENNA GSM / UMTS OMNI 7DB - OM 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件狀態:在售配件類型:天線配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:1 AO9926C 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO9926BL_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 7.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000 AOB12N60FDL AOB12N65L AOB12T60PL AOB1404L AOB14N50 AOB15B60D AOB15B65M1 AOB15S60L AOB15S65L AOB1606L AOB1608L AOB20C60 AOB20C60L AOB20C60PL AOB20S60L AOB210L AOB240L AOB2500L