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潔凈室要素
人員產(chǎn)生的污染
工藝用水
工藝化學(xué)品污染
化學(xué)氣體污染
潔凈室的物質(zhì)與供給
潔凈室的維護(hù)
晶片表面清洗
污染顆粒怎樣去除
晶片刷洗器
高壓水清洗
晶片有機(jī)殘余物
無(wú)機(jī)殘余物
常見(jiàn)的化學(xué)清洗
晶圓氧化層的去除
室溫和氧化的化學(xué)物質(zhì)
水的沖洗
晶圓烘干技術(shù)
芯片污染檢測(cè)/總結(jié)
簡(jiǎn)易TTL與非門(mén)
六管單元TTL與非門(mén)
Verilog HDL主要能力
`define 和`undef
`ifdef、`else 和`endif
`default_nettype
芯片制造污染控制關(guān)鍵概念及術(shù)語(yǔ)
工藝良品率概述
工藝良品率測(cè)量點(diǎn)
累積晶圓生產(chǎn)良品率
晶圓生產(chǎn)良率的制約因素
晶圓生產(chǎn)良率的制約因素-工藝制程步驟的數(shù)量
硅單晶的定向
硅襯底制備工藝簡(jiǎn)介
外延工藝原理
四氯化硅氫氣還原法外延原理
外延輔助工藝
外延層質(zhì)量參數(shù)及檢測(cè)簡(jiǎn)介
有關(guān)外延層層錯(cuò)
常見(jiàn)的氧化方法及原理
熱氧化工藝及生長(zhǎng)原理討論
擴(kuò)散原理
擴(kuò)散方程及擴(kuò)散雜質(zhì)分布
擴(kuò)散方法
擴(kuò)散層質(zhì)量參數(shù)及擴(kuò)散工藝條件選擇
擴(kuò)散引起的外延層-襯底界面的雜質(zhì)再分布
離子注入原理及分析
光刻工藝及其工藝要求
光刻缺陷及影響
其它光刻技術(shù)簡(jiǎn)介
光刻工藝對(duì)光刻版的質(zhì)量要求
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