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半導(dǎo)體基本器件
制作平面電阻用箔電阻復(fù)合材料
常用中小功率三極管參數(shù)表
二極管 三極管 MOS器件基本原理
電容的類別和符號(hào)
電容器的型號(hào)命名方法
軍工電子、工業(yè)電子行業(yè)多層線路板多通道絕緣電阻綜合在線測(cè)試集...
整體式數(shù)字顯示電感內(nèi)徑測(cè)微儀
變壓器的基本知識(shí)
常用電阻的技術(shù)特性
絕緣電阻的正確測(cè)量
發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù)
不同磁芯材料在微電感中的應(yīng)用
新型LED白色光無電感升壓電路MAX1759及其新技術(shù)
光電時(shí)代的精靈－GaN發(fā)光二極管
Au/Fe磁性多層膜在離子束混合過程中的巨磁電阻效應(yīng)在線研究
高頻和高壓電子元器件的裝配質(zhì)量控制措施
SMT 簡(jiǎn)介
凌特推出集成肖特基二極管的高效白光LED驅(qū)動(dòng)器
Vishay推出首款采用小型2818封裝的電阻器
微型引線框架封裝的ESD二極管陣列
Vishay新型RFI/EMI抑制電容器具有500Vac及300Vac的額定電壓
具有0.1%低匹配容差的四元扁平芯片電阻陣列
3M嵌入式電容介質(zhì)厚度達(dá)8μs 密度大于10nF
安華推出采用無鉛SOD-323封裝的PIN二極管
齊納二極管調(diào)整器設(shè)計(jì)
超高精度包裹式表面貼裝片式電阻
表面鈍化工藝
器件組裝
多結(jié)晶體管的埃伯斯-莫爾模型
集成電路中的寄生電容
Verilog HDL上拉、下拉電阻
集成二極管及肖特基勢(shì)壘二極管
版圖設(shè)計(jì)舉例
集成電路中的雙極晶體管模型
集成NPN的結(jié)構(gòu)與寄生效應(yīng)
橫向PNP管、縱向PNP管的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
集成齊納二極管和次表面齊納管
BJT的三個(gè)端點(diǎn)
集成電阻器
集成電容器
MOS晶體管的最高工作頻率
寄生電容、電容寄生效應(yīng)
寧波調(diào)壓器廠成功研制可調(diào)電阻負(fù)載等新產(chǎn)品
優(yōu)化0201元件裝配工藝參數(shù)提高焊點(diǎn)良品率
一種新的元器件可靠性評(píng)估方法———結(jié)構(gòu)分析（CA）
MOS管的I-V特性研究
集成開關(guān)電容電路
開關(guān)電容濾波電路
開關(guān)電容電路中用交流電源供電的積分器
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