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CSD17382F4

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  • 深圳市歐瑞芯電子有限公司
    深圳市歐瑞芯電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐、張先生

    電話：1353040899018475619159

    地址：深圳市福田區(qū)現(xiàn)代之窗A座11C/香港元朗區(qū)宏業(yè)西街33號(hào)元朗貿(mào)易中心206室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • TI/德州儀器

  • PICOSTAR-3

  • 25+

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  • 原裝現(xiàn)貨全網(wǎng)最低支持實(shí)單

  • CSD17382F4
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國(guó)上海

  • 321180

  • TI

  • con

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  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

  • CSD17382F4
    CSD17382F4

    CSD17382F4

  • 深圳市三磚科技有限公司
    深圳市三磚科技有限公司

    聯(lián)系人：黃先生

    電話：18823887255

    地址：賽格科技園4棟西10樓C座

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6500

  • TI/德州儀器

  • PICOSTAR-3

  • 25+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨，全網(wǎng)好價(jià)

  • CSD17382F4T
    CSD17382F4T

    CSD17382F4T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD17382F4
    CSD17382F4

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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 321180

  • TI

  • con

  • 24+

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

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CSD17382F4 技術(shù)參數(shù)
  • CSD17381F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:109 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17381F4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:109 毫歐 @ 500mA，8A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17327Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:65A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12.2 毫歐 @ 11A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:506pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17322Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:87A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:695pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17318Q2T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:879pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:16W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15.1 毫歐 @ 8A， 8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2） 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T CSD17570Q5B CSD17570Q5BT CSD17571Q2 CSD17573Q5B CSD17573Q5BT
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