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CSD13380F3T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • FemtoFET?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 3.6A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 1.8V，4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 1.2nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • 8V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 156pF @ 6V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 500mW（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 76 毫歐 @ 400mA，4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 3-PICOSTAR
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD13380F3T 技術(shù)參數(shù)
  • CSD13380F3 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.6A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:156pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13306WT 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.2m? @ 1.5A, 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 6V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13303W1015 功能描述:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 mOhm @ 1.5A、 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:715pF @ 6V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13202Q2 功能描述:MOSFET N-CH 12V 76A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.3 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:997pF @ 6V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD13201W10 功能描述:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:462pF @ 6V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA（1x1） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15571Q2 CSD16126 CSD16128 CSD161610 CSD16166 CSD16166SS CSD16168 CSD16168SS CSD16208 CSD16208SS CSD16301Q2 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5
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