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BSM200GA170DN2SFE3226

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BSM200GA170DN2SFE3226
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
EUPEC
主營模塊
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應

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BSM200GA170DN2SFE3226 技術參數(shù)

BSM1-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝零件狀態(tài):過期端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數(shù):2 端接:壓接線規(guī):18-20 AWG 絕緣:非絕緣特性:銅焊縫顏色:- 標準包裝:10 BSM1-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝零件狀態(tài):過期端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數(shù):2 端接:壓接線規(guī):18-20 AWG 絕緣:非絕緣特性:銅焊縫顏色:- 標準包裝:100 BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:12 BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X