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BSC009NE2LSXT

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  • BSC009NE2LSXT
    BSC009NE2LSXT

    BSC009NE2LSXT

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 32125

  • INFINEON

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSC009NE2LSXT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET OptiMOS Power MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSC009NE2LSXT 技術參數
  • BSC009NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Ta），100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:126nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5800pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.9 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC009NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.95 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:49nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3200pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC009NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3900pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC009NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:126nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 12V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSB280N15NZ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 60μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 75V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSTATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC016N03LSGATMA1
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