BSB014N04LX3G

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BSB014N04LX3G
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
50000
INFINEON
MG-WDSON
26+
-
原裝原廠正品現貨

BSB014N04LX3G
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
WDSON-2
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSB014N04LX3GXUMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
11
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSB014N04LX3G
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
10000
INFINEON
MG-WDSON
22+
-
終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

BSB014N04LX3G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Infineontechnologies
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSB014N04LX3G
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：18948176968
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
6138
INFINEON
MG-WDSON
假一賠十！！
-
絕對原裝現貨！

BSB014N04LX3GXUMA1
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
11
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSB014N04LX3GXUMA1
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
聯系人：楊銳鋒
電話：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田區華強廣場二樓Q2B046
20000
INFINEON
-
高品質！價格美麗！

BSB014N04LX3G
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
35714
INF
ORIGONAL
16+
-
0.67142 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSB014N04LX3G 技術參數

BSB014N04LX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:196nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16900pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB013NE2LXIXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），163A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:62nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4400pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），57W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB013NE2LXI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），163A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB012NE2LXIXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 170A WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5852pF @ 12V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSB012NE2LX 功能描述:MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:37A（Ta），170A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4900pF @ 12V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB028N06NN3 G BSB028N06NN3GXUMA1 BSB044N08NN3 G BSB044N08NN3GXUMA1 BSB053N03LP G BSB056N10NN3GXUMA1 BSB104N08NP3GXUSA1 BSB1270002 BSB1270003 BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1