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BFQ149,115

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  • BFQ149,115
    BFQ149,115

    BFQ149,115

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

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  • 原廠封裝

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    BFQ149,115

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2300

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    BFQ149,115

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • 最新批號

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  • BFQ149,115
    BFQ149,115

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  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業執照

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  • Philips Semiconducto

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  • BFQ149,115
    BFQ149,115

    BFQ149,115

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區新安街道翻身路117號 富源商貿中心D棟601

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BFQ149,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻雙極小信號晶體管 PNP 15V 100mA 5GHZ
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 最大工作頻率
  • 7000 MHz
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 15 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • 2 V
  • 集電極連續電流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-223
  • 封裝
  • Reel
BFQ149,115 技術參數
  • BFQ 19S E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 210mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:7dB ~ 11.5dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 70mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):210mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BFP843H6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 2.25V 55mA 125mW Surface Mount SOT-343 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):2.25V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz 增益:13.5dB ~ 24.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):150 @ 15mA,1.8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):55mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1 BFP843FH6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 2.25V 55mA 125mW Surface Mount SOT-343 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):2.25V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz 增益:13.5dB ~ 25dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):150 @ 15mA,1.8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):55mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1 BFP842ESDH6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 3.7V 40mA 60GHz 120mW Surface Mount SOT-343 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.7V 頻率 - 躍遷:60GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.65dB @ 3.5GHz 增益:26dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):150 @ 15mA,2.5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1 BFP840FESDH6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 2.6V 35mA 85GHz 75mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):2.6V 頻率 - 躍遷:85GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.75dB @ 5.5GHz 增益:35dB 功率 - 最大值:75mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):150 @ 10mA,1.8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:4-TSFP 標準包裝:1 BFQ67W,135 BFQ790H6327XTSA1 BFR 106 E6327 BFR 181 E6327 BFR 181 E6780 BFR 181T E6327 BFR 181W E6327 BFR 182 B6663 BFR 182 E6327 BFR 182T E6327 BFR 182W E6327 BFR 183 E6327 BFR 183T E6327 BFR 183W E6327 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327
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